aopeng 发表于 2020-5-28 08:39:14

大工20春《模拟电子技术》在线作业1满分

大工20春《模拟电子技术》在线作业1
1.[单选题] 已知某晶体管处于放大状态,测得其三个极的电位分别为1.3V、2V和6V,则6V所对应的电极为()。
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    A.发射极
    B.集电极
    C.基极
    D.无法确定
    答:——B——
2.[单选题] 关于BJT的结构特点说法错误的是()。    奥鹏作业答案Q 7 612 96021
    A.基区很薄且掺杂浓度很低
    B.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
    C.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
    D.集电区面积大于发射区面积
    答:——C——
3.[单选题] 测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。
    A.NPN型锗管
    B.PNP型锗管
    C.PNP型硅管
    D.NPN型硅管
    答:——B——
4.[单选题] 在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是()放大电路。
    A.共射极
    B.共集电极
    C.共基极
    D.不确定
    答:————
5.[单选题] 引起共射极放大电路输出波形出现饱和失真的主要原因是()。
    A.输入电阻太小
    B.静态工作点偏低
    C.静态工作点偏高
    D.输出电阻太小
    答:————
6.[单选题] 在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。
    A.温度
    B.掺杂工艺
    C.杂质浓度
    D.晶体缺陷
    答:————
7.[单选题] 在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。
    A.同相
    B.反相
    C.相差90°
    D.不确定
    答:————
8.[单选题] 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。
    A.饱和失真
    B.截止失真
    C.交越失真
    D.线性失真
    答:————
9.[单选题] 晶体管能够放大的外部条件是()。
    A.发射结正偏,集电结反偏
    B.发射结正偏,集电结正偏
    C.发射结反偏,集电结正偏
    D.发射结反偏,集电结反偏
    答:————
10.[单选题] 对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,()极的电位最低。
    A.发射极
    B.基极
    C.集电极
    D.不确定
    答:————
11.[判断题] 射极输出器无放大功率的能力。
    A.对
    B.错
    答:————
12.[判断题] 温度升高,晶体管输入特性曲线右移。
    A.对
    B.错
    答:————
13.[判断题] 二极管是非线性器件。
    A.对
    B.错
    答:————
14.[判断题] 对于电压放大器来说,输出电阻越小,电路的带负载能力越强。
    A.对
    B.错
    答:————
15.[判断题] 共射放大电路中信号从射极输入,由集电极输出。
    A.对
    B.错
    答:————
16.[判断题] BJT有三个极、三个区、三个PN结。
    A.对
    B.错
    答:————
17.[判断题] 阻容耦合多级放大电路不能抑制零点漂移。
    A.对
    B.错
    答:————
18.[判断题] 半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。
    A.对
    B.错
    答:————
19.[判断题] 当环境温度升高时,二极管的死区电压将升高。
    A.对
    B.错
    答:————
20.[判断题] N型半导体带正电。
    A.对
    B.错
    答:————

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