东大网院21秋电力电子电路03作业答案满分
电力电子电路_2021秋_031.[单选题]功率晶体管三个电极分别为()。
A.发射极,基极,集电极;
B.第一基极,发射极,第二基极;
C.源极,栅极,漏极;
D.阴极,门极,阳极。
正确答案:————
2.[单选题]三相半波可控整流电路一共有()只晶闸管。
A.1
B.2
C.3
D.4
正确答案:————
3.[单选题]三相桥式全控整流电路,电阻性负载,()是ud波形连续和断续的分界点。
A.30°
B.60°
C.90°
D.120°
正确答案:————
4.[单选题]三相桥式半控整流电路一共有()只晶闸管。
A.2
B.3
C.4
D.6
正确答案:————
5.[单选题]晶闸管的额定电流是以()的形式定义的。
A.电流峰值
B.电流有效值
C.电流平均值
D.电流瞬时值
正确答案:————
6.[单选题]<p style="MARGIN-TOP: 12pt; TEXT-INDENT: 24pt; mso-char-indent-count: 2.0; mso-para-margin-top: 1.0gd" class="MsoBodyTextIndent"><span style="FONT-FAMILY: 宋体; FONT-SIZE: 12pt; mso-ascii-font-family: 'Times New Roman'">单相全波可控整流电路,大电感负载,晶闸管的电流平均值是(</span><span style="FONT-SIZE: 12pt" lang="EN-US"><span style="mso-spacerun: yes"> </span><span style="mso-tab-count: 1"> </span><span style="mso-spacerun: yes"></span></span><span style="FONT-FAMILY: 宋体; FONT-SIZE: 12pt; mso-ascii-font-family: 'Times New Roman'">)。</span><p style="MARGIN-TOP: 12pt; TEXT-INDENT: 24pt; mso-char-indent-count: 2.0; mso-para-margin-top: 1.0gd" class="MsoBodyTextIndent"><span style="FONT-FAMILY: 宋体; FONT-SIZE: 12pt; mso-ascii-font-family: 'Times New Roman'"><img alt="" src="http://exam.neu.edu.cn/resourcefile/bdeditor/dbdx/qianyi/100852/d3640551-d3e5-4d3f-9f08-3f20096a6800/2011719143428586.jpg" width="51" height="146"/></span><span style="FONT-SIZE: 12pt" lang="EN-US"><?xml:namespace prefix="o"><o:p></o:p></?xml:namespace></span></p>
A.A
B.B
C.C
D.D
正确答案:————
7.[单选题]三相半波可控整流电路,负载两端分别接()。
A.整流变压器输出端和中性点
B.整流电路输出端和中性点
C.共阴极组整流电路输出端和共阳极组整流电路输出端
D.平波电抗器两端
正确答案:————
8.[单选题]三相半波可控整流电路,各晶闸管的触发脉冲依次间隔()。
A.30°
B.60°
C.90°
D.120°
正确答案:————
9.[单选题]三相半波共阳极组可控整流电路,自然换相点是()。
A.三相电源的过零点
B.三相电源相电压正半周波形的交点
C.三相电源相电压负半周波形的交点
D.三相电源线电压正半周波形的交点
正确答案:————
10.[单选题]()是电流控制型电力电子器件。
A.GTR、SITH
B.TRIAC、GTR
C.P-MOSFET、IGBT
D.GTO、MCT
正确答案:————
11.[判断题]电压型交-直-交变频器输出电压为矩形波。
A.正确
B.错误
正确答案:————
12.[判断题]三组三相-单相变频电路可以组合成三相-三相交-交变频电路。
A.正确
B.错误
正确答案:————
13.[判断题]P-MOSFET栅偏压大于零时,漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。
A.正确
B.错误
正确答案:————
14.[判断题]三相半波可控整流电路,电阻性负载,最大移相范围是150°。
A.正确
B.错误
正确答案:————
15.[判断题]降压式直流斩波器也称为Boost变换器。
A.正确
B.错误
正确答案:————
16.[判断题]P-MOSFET分为N沟道型和P沟道型。
A.正确
B.错误
正确答案:————
17.[判断题]普通型晶闸管是三层三端元件。
A.正确
B.错误
正确答案:————
18.[判断题]单相桥式全控整流电路,阻感性负载,α=90°时Ud=0。
A.正确
B.错误
正确答案:————
19.[判断题]晶闸管的维持电流通常大于擎住电流IH>IL。
A.正确
B.错误
正确答案:————
20.[判断题]P-MOSFET栅偏压大于零时,漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。
A.正确
B.错误
正确答案:————
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