21秋西南大学0404 材料化学在线作业答案
0404 材料化学1.[单选题] 以下措施可能提高金属材料电导率的有（）。
A.E.冷变形
B.升温
C.掺杂
D.热处理
2.[单选题] 关于介电常数以下说法错误的是（）。
A.高介电常数的电介质可以提高电容的电能储存能力
B.介电常数表征材料极化和储存电荷的能力
C.介电常数越大，电容存储的电能越少
D.真空介电常数小于材料的相对介电常数
3.[单选题] 关于气相沉积法错误的说法是（）。
A.F.化学气相沉积可以选取任意的反应物
B.化学气相沉积是通过气相化学反应生成固态产物并沉积在固体表面的过程
C.物理气相沉积过程没有发生化学反应
D.气相沉积包括化学气相沉积和物理气相沉积
4.[单选题] 以MgO和Al2O3为原料通过固相反应制备尖晶石MgAl2O4的反应类型为（）。
A.置换反应
B.加成反应
C.氧化反应
D.还原反应
5.[单选题] 以下晶体生长方法不是熔体生长单晶方法的是（）。
A.水热法
B.区域熔炼法
C.液相外延法
D.拉提法
6.[单选题] 以下那种键合不属于化学键（）。
A.离子键
B.共价键
C.氢键
D.金属键
7.[单选题] 下列说话错误的有（）。
A.电筹的之间的电矩取向不同可能相互抵消
B.铁电性的存在有一最高温度
C.撤去电场后铁电体的极化为零
D.铁电体的电畴是自发极化相同的小区域
8.[单选题] 关于复合型高分子导电材料说法错误的是（）。
A.复合型高分子导电材料是通过分散的导电填料导电的
B.填料粒度和分散性将影响导电性能
C.填料种类将影响材料的导电性能
D.填料用量对材料的电导率没有影响
9.[单选题] 炼铁工艺中的造渣剂有（）。
A.通入的氧气
B.铁矿石
C.焦炭
D.石灰石
10.[单选题] 在书写缺陷方程时，不引入电荷的缺陷是（）。
A.离子空位
B.间隙离子
C.等价置换原子
D.电子缺陷
11.[单选题] 以下那种吸收无法激发电子进入导带（）。
A.B.本征吸收
B.激子吸收
C.杂质吸收
D.自由载流子吸收
12.[单选题] 15% 的Cr2O3掺杂Al2O3后得到的固溶体的化学式为（）。
B.Cr15Al85O3
C.Cr0.85Al0.15O3
D.Cr85Al15O3
13.[单选题] 关于温度对发光的影响说法错误的是（）。
A.温度对材料的荧光没有影响
B.升高温度可能导致荧光淬灭
C.当温度升高到一定温度时，发光材料的发光强度可能会显著降低
D.温度升高到临界点后发光材料获得的能量将以振动形式释放，因此不会发光
14.[单选题] 下列那种材料最适合做保温材料（）。
A.导电陶瓷
B.多孔塑料泡沫
C.铁合金
D.致密的氧化镁陶瓷
15.[单选题] 关于反射率错误的说法是（）。
A.全反射是光纤通讯的基础
B.两个介质的折射率也接近，反射率越低
C.两种介质折射率相差越大界面反射损失小
D.一束光通过多块重叠的玻璃比通过一块同样厚度的玻璃由于反射损失的能量更大
16.[单选题] 陶瓷材料主要主要涉及到的化学稳定性是（）。
A.生锈
B.耐有机溶剂性
C.老化
D.耐酸碱性
17.[单选题] 原子的磁矩主要来源于（）。
A.电子轨道磁矩
B.原子核自旋磁矩
C.电子自旋磁矩
D.质子的磁矩
18.[单选题] Li2O 掺杂NiO后将可能获得（）。
A.本征半导体
B.P型半导体
C.N型半导体
D.都可能
19.[单选题] P型半导体中多数载流子为（）。
A.导带中的电子
B.价带中的空穴
C.杂质能级中的空穴
D.杂质能级中的电子
20.[多选题] 固相反应过程包括（ )两个过程。
A.晶粒生长
B.相界面上的反应
C.相界面上的物质迁移
D.晶型转变
21.[多选题] 下列那些情况缺陷所带电荷为正电荷（）。
A.高价阳离子取代低价阳离子
B.氧空位
C.间隙阳离子
D.间隙氧离子
22.[多选题] 以下那些因素可以影响材料的透明性（）。
A.反射
B.折射
C.吸收
D.散射
23.[多选题] 根据结构中的组合方式，硅酸盐晶体可分为（）。
A.链状
B.组群状
C.岛状
D.层状和架状
24.[多选题] 根据基体材料进行类，复合材料可分为（）。
A.聚合物基复合材料
B.水泥基复合材料
C.金属基复合材料
D.陶瓷晶复合材料
25.[多选题] 强磁体包括（）。
A.铁磁体
B.反铁磁体
C.亚铁磁体
D.顺磁体
26.[多选题] 湿法冶金步骤包括（）。
A.分离
B.提取
C.浸出
D.净化与富集
27.[多选题] 溶液生长单晶方法有（）。
A.水热法
B.水溶液法
C.坩埚下降法
D.拉提法
28.[多选题] 按溶质原子在溶剂晶体中的溶解度分类,固溶体可以分为（）。
A.无限固溶体
B.置换固溶体
C.间隙固溶体
D.有限固溶体
29.[多选题] 均匀沉淀时，常用的沉淀剂有（）。
A.碳酸钠
B.尿素
C.硫代乙酰胺
D.氢氧化钠
30.[多选题] 以CaCl2为原料，通过直接沉淀法制备CaCO3，则沉淀剂可选用（）。
A.碳酸钠
B.二氧化碳
C.碳酸铵
D.碳酸钾
31.[多选题] 关于材料的导热，下列说话正确的有（）。
A.通常情况下，纯金属比相应的合金具有更好的热导率
B.多孔氧化铝的导热性高于致密氧化铝
D.银是良好的导电材料，因此它也有好的导热性能
32.[判断题] 点缺陷是零维缺陷。
A.正确
B.错误
33.[判断题] 原子间键合力越强热膨胀系数越大（）。
A.正确
B.错误
34.[判断题] 在一定条件下, 溶质原子在溶剂中的溶解量超过有限固溶体的溶解上限时,就有可能形成新相（）。
A.正确
B.错误
35.[判断题] 共沉淀法中，选取的沉淀剂必须能够使所有被沉淀离子都沉淀（）。
A.正确
B.错误
36.[判断题] 间隙式溶质原子的强化效果一般要比置换式溶质原子更显著（）。
A.正确
B.错误
37.[判断题] 掺杂前后，化合物MaXb中M的位置数始终与X的位置数保持b:a比例（）。
A.正确
B.错误
38.[判断题] 任何氧化物之间都可以形成无限固溶体。
A.正确
B.错误
39.[判断题] 晶体中不同晶向上原子的排列可能不一样。
A.正确
B.错误
40.[判断题] 离子镀可以在复杂工件表面制备耐磨的致密薄膜（）。
A.正确
B.错误
41.[判断题] 弹簧秤所用材料承受的应力不应超过其弹性极限。
A.正确
B.错误
42.[判断题] 非化学计量化合物中的组成元素比例与元素所占据的晶格点数比例一致（）。
A.正确
B.错误
43.[判断题] 能带中的电子都能参与导电（）。
A.正确
B.错误
44.[判断题] 反应物发生多晶转变时有利于固相反应（）。
A.正确
B.错误
45.[判断题] 拉提法可以生长任意尺寸的单晶（）。
A.正确
B.错误
46.[判断题] 颜色直接取决于光的波长大小和波长宽度分布（）。
A.正确
B.错误
47.[判断题] <span style="font-family: 宋体; font-size: 10.5pt; mso-spacerun: " mso-font-kerning:=""><span style="font-family:宋体">简单立方中，（</span>110)和</span><img width="44" height="32" sr两个晶面平行但原子排列不同</span></span>（）。
A.正确
B.错误
48.[判断题] 光折射来源于光作用介质后产生的介质极化（）。
A.正确
B.错误
49.[判断题] 半导体电导率介于绝缘体与导体之间（）。
A.正确
B.错误
50.[判断题] 大多数点缺陷的存在将使晶体产生很大的畸变（）。
A.正确
B.错误
51.[判断题] 注入式可见光LED材料的能隙可以是任意值（）。
A.正确
B.错误
52.[判断题] 陶瓷材料中常包括离子键与共价键混合的情况。
A.正确
B.错误
53.[判断题] 等价置换所形成的缺陷带电为零（）。
A.正确
B.错误
54.[判断题] 晶体的各个方向的热膨胀系数是相同的（）。
A.正确
B.错误
55.[判断题] 晶体内部质点排列长程有序。
A.正确
B.错误
56.[判断题] 某一晶面指数代表了在原点同一侧的一组相互平行且无限大的晶面。
A.正确
B.错误
57.[判断题] 本征半导体中电子浓度大于空穴浓度（）。
A.正确
B.错误
58.[判断题] 洛氏硬度只能用来测量硬度较低材料的硬度（ ）。
A.正确
B.错误
59.[判断题] 金属的能带为不满带或者能带有交叠（）。
A.正确
B.错误
60.[判断题] 溶胶陈化后胶粒间缓慢聚合，可形成三维空间网络结构的凝胶（）。
A.正确
B.错误
61.[判断题] 通常情况下，结构类型相同的晶体，不有利于形成置换固溶体（）。
A.正确
B.错误
62.[判断题] 化学试剂就是材料，材料也是化学试剂。
A.正确
B.错误
63.[判断题] 电介质极化产生的感应电荷将可以在电介质中任意流动（）。
A.正确
B.错误
64.[判断题] 通常情况下可以通过淬火降低钢的强度（ ）。
A.正确
B.错误
65.[判断题] 溶胶是纳米固体颗粒在适当液体介质中形成的稳定分散体系（）。
A.正确
B.错误
66.[判断题] 材料的磁化强度可以随外场的增加而无限增大（）。
A.正确
B.错误
67.[判断题] 在晶体中，同一晶向族上原子排列不尽相同（）。
A.正确
B.错误
68.[判断题] 氯化钠晶胞中所有的八面体都被Na离子填满，因此填充率为1。
A.正确
B.错误
69.[判断题] 地壳中含量最丰富的金属元素为铁。
A.正确
B.错误
70.[判断题] 等价置换在固溶体中不会引入带电点缺陷。
A.正确
B.错误
71.[判断题] 真空蒸镀法是一种物理气相沉积方法（）。
A.正确
B.错误
72.[判断题] 非晶质体和晶体在一定条件下可以相互转化（）。
A.正确
B.错误
73.[判断题] 能带中所有的电子都参与导电（）。
A.正确
B.错误
74.[判断题] 陶瓷粉制备与生坯烧结是陶瓷工艺中较为重要的关键环节（）。
A.正确
B.错误
75.[判断题] 镁橄榄石Mg2中不直接相连（）。
A.正确
B.错误
76.[判断题] 金属基体的选择对金属基复合材料的性能起决定性作用（）。
A.正确
B.错误
77.[判断题] 复合型导电聚合物导电实质是分散在聚合物中的导电填充物形成的导电通道导电（）。
A.正确
B.错误
78.[判断题] 具有不同电位的两部分金属之间必须有导线连接或直接接触才能形成腐蚀电池（）。
A.正确
B.错误
79.[判断题] 简单立方中，（100）晶面间距小于（111）晶面间距（）。
A.正确
B.错误
80.[判断题] 拉提法是利用温场控制来使得熔融的原料在籽晶表面生长成晶体（）。
A.正确
B.错误
81.[判断题] 光是电磁波，具有波粒二象性（）。
A.正确
B.错误
82.[问答题] 简述化合物半导体与Si不同的独特性质。并列举至少三种化合物半导体以及说明它们各自的主要应用。
A.
83.[问答题] 液相法生长单晶，溶剂对单晶的生长也至关重要。请简述溶剂的选择原则？
A.
84.[问答题] Si4+和O2-的离子半径分别为40 和140 pm，则分析（1）SiO2晶体中Si和O的配位形式；（2）晶体中的O与Si直接相连的数量（3） 配位体的连接方式。
A.
85.[问答题]
86.[问答题] 简述化学气相沉积的缺点。
A.
87.[问答题] 列举为纳米材料的纳米效应。
A.
88.[问答题] 简述晶胞选取规则。
A.
89.[问答题] 简述金属材料导电性的影响因素。
A.
90.[问答题] 简述固相反应特点？
A.
91.[问答题] 简述金属作为导电材料应满足的基本条件。
A.
92.[问答题] 金属形成腐蚀电池必须具备哪三个基本条件。并以金属铁为例，分析其发生电化学腐蚀过程（形成铁锈过程，以方程式表示）。
A.
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