奥特曼 发表于 2022-10-20 09:00:32

西南大学22年9月0404 材料化学在线作业

0404 材料化学
1.[单选题] 材料发生塑性变形开始于应力超过()。
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    A.强度极限
    B.屈服极限
    C.弹性极限
    D.比例极限
2.[单选题] 以那种键结合的材料最有可能导电(  )。
    A.B.金属键
    B.离子键
    C.共价键
    D.氢键
3.[单选题] 下面那种材料是高分子材料(  )。
    A.陶瓷
    B.橡胶
    C.混泥土
    D.铁合金
4.[单选题] 四面体中的氧最多可以和几个Si4+相连()。
    A.1
    B.4
    C.2
    D.3
5.[单选题] 以下半导体属于元素半导体的是()。
    A.Ga1-x Alx
    B.GaAs
    C.ITO
    D.单晶硅
6.[单选题] 以下对材料的透明性没有影响的是(  )。
    A.散射
    B.吸收
    C.反射
    D.折射
7.[单选题] 下那种材料不是高分子材料()。
    A.棉花
    B.水泥
    C.橡胶
    D.塑料
8.[单选题] 以四乙氧基硅作前驱体制备SiO2时,不能用作催化剂的是()。
    A.氨水
    B.盐酸
    C.乙酸
    D.NaCl
9.[单选题] 在立方晶系中,原子排列与其他不同的晶向是()。
    A.
    B.
    C.
    D.
10.[单选题] 下列那种陶瓷原料不用作釉料(  )。
    A.黏土类原料
    B.石英类原料
    C.透辉石
    D.长石类原料
11.[单选题] 那种金属表面可以形成致密氧化膜从而提高其抗氧化性()。
    A.Mg
    B.ABC都不可以
    C.Fe
    D.Al
12.[单选题] P-N结中的电场方向是()。
    A.由接触面分别指向N区和P取
    B.由P区指向N区
    C.从N区指向P区
    D.不一定
13.[单选题] 以下选项中,导电性最好的金属是()。
    A.铝    南开大学答案q7 6 1 2 9 6 0 2 1
    B.铁
    C.铜
    D.银
14.[单选题] 为了实现晶体在溶液中的连续生长,溶液浓度必须维持的晶体生长区为(  )。
    A.亚稳过饱和区
    B.不稳过饱和区
    C.稳定区
    D.任何浓度都可以
15.[单选题] 均匀沉淀法制备氧化锌时,可用的沉淀剂为()。
    A.尿素
    B.碳酸钠
    C.氢氧化钠
    D.氢氧化钾
16.[单选题] 可以用来盛装氢氟酸的容器有(  )。
    A.铝瓶
    B.玻璃瓶
    C.塑料瓶
    D.ABC都可以
17.[单选题] 将导致晶体体积膨胀的热缺陷是()。
    A.肖特基缺陷
    B.电子缺陷
    C.晶面
    D.弗伦克尔缺陷
18.[单选题] 书写缺陷方程式,下列那中缺陷将影响方程中的位置数()。
    A.间隙阳离子
    B.空穴
    C.阳离子空位
    D.间隙阴离子
19.[单选题] 下列选项中,哪个是立方晶系 (  )。
   0o
    D.a=b≠c; α=β=γ=90o
20.[单选题] 半导体的能带结构特是()。
    A.有不满带
    B.都为满带且禁带很大
    C.都为满带并且禁带较小
    D.有能带交叠
21.[单选题] 消除陶瓷材料中的孔隙将()材料的热导率。
    A.都可能
    B.降低
    C.增加
    D.不影响
22.[单选题] 在NaCl中形成一个氯离子空位,则缺陷表示为()。
    A.
    B.
    C.
    D.
23.[单选题] 下面那个缺陷主要是由原子热运动引起 ()。
    A.晶界
    B.电子
    C.弗伦克尔缺陷
    D.取代原子
24.[单选题] 地壳中含量最丰富的金属为()。
    A.氧
    B.硅
    C.铜
    D.铝
25.[多选题] 立方晶系中,下列那几个关系正确(  )。
       D.⊥(001)
26.[多选题] 主要用于陶瓷和金属基复合材料中的增强相有(   )。
    A.碳化硅晶须
    B.氮化硅纤维
    C.陶瓷颗粒
    D.聚乙烯纤维
27.[多选题] 以下那些材料是介电材料()。
    A.铁电材料
    B.导电材料
    C.压电材料
    D.热释电材料
28.[多选题] 矿化剂在固相反应中的作用表现为()。
    A.降低体系共熔点,改善液相性质
    B.影响晶核的生成速率
    C.改变反应机制降低反应活化能
    D.影响结晶速率及晶格结构
29.[多选题] 以醇盐为前驱体,溶胶的形成经过()过程。
    A.溶解
    B.分解
    C.缩合
    D.水解
30.[多选题] 关于晶胞选取的规则,正确的是(  )。
    A.晶胞棱间呈直角的时候,尽可能有多的直角
    B.晶胞内相等的棱和角的数目最多
    C.在满足以上条件的情况下,有尽可能小的体积
    D.晶胞应尽可能反映点阵的对称性
31.[多选题] 按成分分类,半导体可分为(  )。
    A.化合物半导体
    B.元素半导体
    C.固溶半导体
    D.微晶半导体
32.[多选题] 按照材料的尺度划分,材料可以分为()。
    A.三维材料
    B.零维材料
    C.一维材料
    D.二维材料
33.[多选题] 发光效率的表示方法有()。
    A.量子效率
    B.光度效率
    C.能量效率
    D.工作效率
34.[多选题] 导电材料中的载流子包括()。
    A.电子
    B.空穴
    C.原子
    D.可以移动的离子
35.[多选题] 下面哪些缺陷是点缺陷(  )。
    A.晶界
    B.间隙原子
    C.空位
    D.取代原子
36.[判断题] 压电材料一定是铁电材料()。
    A.正确
    B.错误
37.[判断题] 在立方晶系中,和晶向上原子排列相同(  )。
    A.正确
    B.错误
38.[判断题] 非晶体各个方向上的导热性相同()。
    A.正确
    B.错误
39.[判断题] 在简单立方中,上的原子排列与上原子排列相同()。
    A.正确
    B.错误
40.[判断题] 原子组成晶体后,核外能级共有化后过渡为能带(  )。
    A.正确
    B.错误
41.[判断题] 铁磁体内磁矩能够自发磁化(  )。
    A.正确
    B.错误
42.[判断题] 金属材料的导热机制主要是电子导热()。
    A.正确
    B.错误
43.[判断题] 在整个弹性变形阶段应力应变都满足虎克定律()。
    A.正确
    B.错误
44.[判断题] 布里渊区的边界对应于能带中的禁带()。
    A.正确
    B.错误
45.[判断题] 同一晶系中,晶面间距愈小,该晶面上的原子排列愈紧密()。
    A.正确
    B.错误
46.[判断题] 热容是衡量物体温度升高1K时所需要增加的热量(  )。
    A.正确
    B.错误
47.[判断题] 铁电体都有压电效应()。
    A.正确
    B.错误
48.[判断题] 纳米材料是指所有维度尺寸在1-100nm范围的材料()。
    A.正确
    B.错误
49.[判断题] 复合材料中的多相组元完全融为一体没有界面存在()。
    A.正确
    B.错误
50.[判断题] 电离能越大,原子越难失去电子()。
    A.正确
    B.错误
51.[判断题] 化合物半导体可以是n型或P型半导体()。
    A.正确
    B.错误
52.[判断题] 固溶体可以稳定晶格,阻止某些晶型转变的发生(  )。
    A.正确
    B.错误
53.[判断题] 金属颗粒加入造陶瓷基体中可以改善复合材料的韧性( )。
    A.正确
    B.错误
54.[判断题] 相对而言,化学气相沉积法可以对复杂的三维工件进行沉积镀膜(  )。
    A.正确
    B.错误
55.[判断题] 光反射与发光一样也有持续的余辉()。
    A.正确
    B.错误
56.[判断题] P-N结具有单向导电性()。
    A.正确
    B.错误
57.[判断题] 介电常数高的材料折射率低(  )。
    A.正确
    B.错误
58.[判断题] 固溶体的晶体结构与溶质和溶剂的晶体结构都不相同(  )。
    A.正确
    B.错误
59.[判断题]就可能获得钙钛矿型化合)。
    A.正确
    B.错误
60.[判断题] 温度升高金属的电阻率将降低(  )。
    A.正确
    B.错误
61.[判断题] 金属表面形成的致密氧化膜可以阻止金属被进一步锈蚀()。
    A.正确
    B.错误
62.[判断题] 离子不能作为导电材料中的载流子()。
    A.正确
    B.错误
63.[判断题] 从溶液中生长单晶,溶液的过饱和度的控制是单晶生长的关键()。
    A.正确
    B.错误
64.[判断题] 空间点阵可以分为7大晶系()。
    A.正确
    B.错误
65.[判断题] 铁电体的铁电性与温度无关(  )。
    A.正确
    B.错误
66.[判断题] 溶质和溶剂原子尺寸相差越小,固溶强化越显著()。
    A.正确
    B.错误
67.[判断题] 求晶面指数时,原点的选取不要过程晶面()。
    A.正确
    B.错误
68.[判断题] 离子晶体中正负离子半径比越大,配位数就越低()。
    A.正确
    B.错误
69.[判断题] 非晶体内质点的排列是长程无序,短程有序的()。
    A.正确
    B.错误
70.[判断题] 钢材淬火的目的是为了获得马氏体以提高其力学性能(  )。
    A.正确
    B.错误
71.[判断题] 缺陷符号中下标表示缺陷位置,上标为缺陷所带的有效电荷()。
    A.正确
    B.错误
72.[判断题] 空位的生成对缺陷方程两边的质量没有影响(  )。
    A.正确
    B.错误
73.[判断题] 断面收缩率越大材料塑性越好(  )。
    A.正确
    B.错误
74.[判断题] CsCl与NaCl的晶体结构相同()。
    A.正确
    B.错误
75.[判断题] ITO透明导电氧化物是锡掺杂氧化铟()。
    A.正确
    B.错误
76.[判断题] 用共沉淀法制备Fe3O4时,可以选取任意的pH()。
    A.正确
    B.错误
77.[判断题] 钙钛矿ABX3结构中,A只能是二价金属,B只能是四价金属(  )。
    A.正确
    B.错误
78.[判断题] 某一晶向指数代表一组在空间相互平行且方向一致的所有晶向()。
    A.正确
    B.错误
79.[判断题] N型半导体中空穴浓度高于电子浓度()。
    A.正确
    B.错误
80.[判断题] 在不等价置换的固溶体中,将有带电点缺陷产生()。
    A.正确
    B.错误
81.[判断题] 固相反应中,矿化剂将在反应过程中与反应物或反应产物发生化学反应()。
    A.正确
    B.错误
82.[判断题] 金属材料不同区域间电位差越小,电化学锈蚀越烈()。
    A.正确
    B.错误
83.[判断题] 相对于沉积相同产物的其他反应来说,氢还原气相沉积法所需的温度通常较低()。
    A.正确
    B.错误
84.[判断题] 直接水解法通常应选易水解的原料作为前驱体()。
    A.正确
    B.错误
85.[判断题] Al2O3与ZnO混合加热后生成ZnAl2O4,则ZnAl2O4是固溶体()。
    A.正确
    B.错误
86.[判断题] 离子晶体中配位多面体共用面时,其稳定性最高(  )。
    A.正确
    B.错误
87.[判断题] 物料颗粒尺寸愈小,越不利于固相反应发生()。
    A.正确
    B.错误
88.[问答题] 简述快离子导体的影响因素。
    A.
89.[问答题] 简述湿法冶金主要步骤。
    A.
90.[问答题] 复合材料区别于传统单一材料,简述复合材料在性能和结构上应具备的特点。
    A.
91.[问答题] 根据滞回曲线和磁化曲线的不同,磁性材料可以分为那几类?并分别指出每一类的主要特点以及应用领域?
    A.
92.[问答题] 阐述散射系数对材料透光性的影响。
    A.
93.[问答题] 详细阐述陶瓷烧结三个阶段的结构变化。
    A.
94.[问答题] 简述溶胶-凝胶法的优点。
    A.
95.[问答题] 根据磁化率大小,材料可以分为哪几类?并指出那几类是强磁性材料。
    A.
96.[问答题]
97.[问答题] 发光辐射的波长决定于材料的能带结构。(a)试确定纯的ZnS发射光峰值波长(Eg=3.6eV);(b)ZnS中杂质形成的陷阱能级为导带下的1.38eV,试计算发射光中心波长。
    A.
98.[问答题] 简述以钛铁矿为原料用硫酸法制备钛白粉的主要工艺步骤,并写出每一阶段的方程式。
    A.
99.[问答题] 以ITO为例,说明ITO导电机制(写出相应的缺陷方程)。
    A.
100.[问答题]
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