东北大学13春学期《现代电力电子及变流技术》在线作业答案
13春学期《现代电力电子及变流技术》在线作业1试卷总分：100 测试时间：--
一、单选题（共10道试题，共50分。）
1.电压型交-直-交变频器中间直流环节是（ ）。
A. 电容
B. 电感
C.
电容加电感
D. 电容加电阻
满分：5分
2.
电流可逆斩波电路是
A. 将整流电路与逆变电路组合在一起。
B. 将降压斩波电路与升压斩波电路组合在一起。
C.
将半波电路与桥式电路组合在一起。
D.
将多重电路组合在一起。
满分：5分
3.三相半波可控整流电路，负载两端分别接（ ）。
A. 整流变压器输出端和中性点
B. 整流电路输出端和中性点
C. 共阴极组整流电路输出端和共阳极组整流电路输出端
D. 平波电抗器两端
满分：5分
4.自然换流点在相电压波形正半周轮廓线交点的电路是（ ）。
A.
三相零式共阴极组整流电路
B.
三相零式共阳极组整流电路
C.
三相桥式全控整流电路
D.
三相桥式全控逆变电路
满分：5分
5.晶闸管变流电路逆变工作时，（ ）。
A.
B.
C.
D.
满分：5分
6.三相桥式全控整流电路，晶闸管的电流平均值是（ ）。
A.
B.
C.
D.
满分：5分
7.三相桥式全控整流电路，全部自然换相点是（ ）。
A. 三相电源线电压的过零点
B.
三相电源相电压正半周波形的交点
C.
三相电源相电压负半周波形的交点
D.
三相电源线电压正半周波形的交点
满分：5分
8.晶闸管是（ ）。
A. 四层三端器件
B. 三层四端器件
C.
四个PN结的器件
D. 电压驱动型器件
满分：5分
9. 单相桥式半控整流电路一共有（ ）只晶闸管。
A. 1
B. 2
C. 3
D. 4
满分：5分
10.单相交流调压电路可以用于
A. 电阻性负载
B. 电感性负载
C.电阻性负载和电感性负载
D. 单相负载
满分：5分
二、判断题（共10道试题，共50分。）
1.用三对反并联晶闸管连接成三相三线交流调压电路，为使三相电流构成通路，任意时刻至少要有两只晶闸管同时导通。
A. 错误
B. 正确
满分：5分
2.晶闸管的导通条件是阳极电位高于阴极电位。
A. 错误
B. 正确
满分：5分
3.把直流电能变换为交流电能直接向交流负载供电，称为有源逆变。
A. 错误
B. 正确
满分：5分
4.
单结晶体管触发电路，改变充电电阻RP的大小就可以改变张弛振荡电路的频率。
A. 错误
B. 正确
满分：5分
5.三相共阴极整流电路，整流管换相总是换到阳极电位更低的一相中去。
A. 错误
B. 正确
满分：5分
6.三相桥式全控整流电路，晶闸管承受的最大正反向电压是变压器二次相电压的峰值。
A. 错误
B. 正确
满分：5分
7.
考虑变压器漏抗造成的换相重叠角γ时，三相全控桥式电路输出的逆变电压平均值比不考虑变压器漏抗时增加。
A. 错误
B. 正确
满分：5分
8.P-MOSFET存在二次击穿现象。
A. 错误
B. 正确
满分：5分
9.GTR存在二次击穿现象。
A. 错误
B. 正确
满分：5分
10.共阴极组变流电路，整流电压正半波大于负半波。
A. 错误
B. 正确
满分：5分
13春学期《现代电力电子及变流技术》在线作业2
试卷总分：100 测试时间：--
一、单选题（共10道试题，共50分。）
1.单相全波可控整流电路一共有（ ）只晶闸管。
A. 1
B. 2
C. 3
D. 4
满分：5分
2. 单相桥式半控整流电路一共有（ ）只晶闸管。
A. 1
B. 2
C. 3
D. 4
满分：5分
3.电压型交-直-交变频器中间直流环节是（ ）。
A. 电容
B. 电感
C.
电容加电感
D. 电容加电阻
满分：5分
4.绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为( )。
A.
发射极，基极，集电极；
B.
发射极，栅极，集电极；
C.
源极，栅极，漏极；
D.
阴极，门极，阳极。
满分：5分
5.三相桥式全控整流电路，晶闸管的电流平均值是（ ）。
A.
B.
C.
D.
满分：5分
6.三相半波可控整流电路，变压器副侧绕组的电流有效值I2是（ ）。
A.
B.
C.
D.
满分：5分
7. 功率晶体管三个电极分别为( )。
A.
发射极，基极，集电极；
B.
第一基极，发射极，第二基极；
C.
源极，栅极，漏极；
D.
阴极，门极，阳极。
满分：5分
8.三相半波可控整流电路，电阻性负载，脉冲的移相范围是（ ）。
A.
90°
B.
120°
C.
150°
D.
180°
满分：5分
9.（ ）是电压控制型电力电子器件。
A.
P-MOSFET、MCT
B.
TRIAC、GTR
C.
GTO、IGBT
D.
Power Diode、SITH
满分：5分
10.三相交-交变频电路主要有两种接线方式。
A. 三相三线制方式和三相四线制方式
B. 高阻方式和低阻方式
C. 串联方式和并联方式
D. 公共交流母线进线方式和输出星形联结方式
满分：5分
二、判断题（共10道试题，共50分。）
1.单相桥式全控整流电路，阻感性负载，α=90°时Ud=0。
A. 错误
B. 正确
满分：5分
2.逆变状态下，晶闸管阻断时主要承受反向电压。
A. 错误
B. 正确
满分：5分
3.Cuk直流斩波器，输入电流不连续，输出电流不连续。
A. 错误
B. 正确
满分：5分
4.
同步信号为锯齿波的触发电路主要由脉冲形成与放大、锯齿波形成和脉冲移相、同步环节、双载脉冲形成、强触发等环节组成。
A. 错误
B. 正确
满分：5分
5.将交流电能变换成直流电能的过程称为逆变。
A. 错误
B. 正确
满分：5分
6.电流型交-直-交变频器通常采用120°导电型。
A. 错误
B. 正确
满分：5分
7.P-MOSFET存在二次击穿现象。
A. 错误
B. 正确
满分：5分
8.升压式直流斩波器，其输出电压平均值U0与升压比的倒数 成正比。
A. 错误
B. 正确
满分：5分
9.P-MOSFET分为N沟道型和P沟道型。
A. 错误
B. 正确
满分：5分
10.升-降压式直流斩波器，输入电流连续，输出电流连续。
A. 错误
B. 正确
满分：5分
13春学期《现代电力电子及变流技术》在线作业3
试卷总分：100 测试时间：--
一、单选题（共10道试题，共50分。）
1.三相半波可控整流电路，负载两端分别接（ ）。
A. 整流变压器输出端和中性点
B. 整流电路输出端和中性点
C. 共阴极组整流电路输出端和共阳极组整流电路输出端
D. 平波电抗器两端
满分：5分
2.场效应管三个电极分别为( )。
A.
发射极，基极，集电极；
B.
第一基极，发射极，第二基极；
C.
源极，栅极，漏极；
D.
阴极，门极，阳极。
满分：5分
3.120°导电型交-直-交电流变频器，任意时刻有（ ）导通。
A. 一只开关管
B. 两只开关管
C.三只开关管
D. 四只开关管
满分：5分
4.电压与电流波形相同的是（ ）。
A.
三相半波整流电路，电阻性负载
B.
三相半波整流电路，电感性负载
C.
单相全控桥式整流电路，电感性负载
D.
带续流二极管的单相半控桥式整流电路，电感性负载
满分：5分
5.单相全波可控整流电路一共有（ ）只晶闸管。
A. 1
B. 2
C. 3
D. 4
满分：5分
6.180°导电型交-直-交电压变频器，任意时刻有（ ）导通。
A.一只开关管
B.两只开关管
C. 三只开关管
D. 四只开关管
满分：5分
7.（ ）是电压控制型电力电子器件。
A.
P-MOSFET、MCT
B.
TRIAC、GTR
C.
GTO、IGBT
D.
Power Diode、SITH
满分：5分
8. 晶闸管的额定电压是（ ）。
A.
断态重复峰值电压
B.
反向重复峰值电压
C.
A和B中较大者
D.
A和B中较小者
满分：5分
9.三相桥式全控整流电路，大电感负载，变压器副侧绕组的电流有效值I2是（ ）。
A.
B.
C.
D.
满分：5分
10.晶闸管三个电极分别为( )。
A.
发射极，基极，集电极；
B.
第一基极，发射极，第二基极；
C.
源极，栅极，漏极；
D.
阴极，门极，阳极。
满分：5分
二、判断题（共10道试题，共50分。）
1.缓冲电路的基本设计思路是：在器件开通时，使电压缓升；在器件关断时，使电流缓升。
A. 错误
B. 正确
满分：5分
2.三相交-交变频器可以由三个单相交-交变频器组合而成。
A. 错误
B. 正确
满分：5分
3.P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。
A. 错误
B. 正确
满分：5分
4.
考虑变压器漏抗造成的换相重叠角γ时，三相全控桥式电路输出的逆变电压平均值比不考虑变压器漏抗时减小。
A. 错误
B. 正确
满分：5分
5.电压型交-直-交变频器给异步电动机供电时，可以实现回馈制动。
A. 错误
B. 正确
满分：5分
6.半控桥式晶闸管电路，不能组成反并联可逆电路。
A. 错误
B. 正确
满分：5分
7.把直流电能变换为交流电能直接向交流负载供电，称为有源逆变。
A. 错误
B. 正确
满分：5分
8.逆变状态下，晶闸管阻断时主要承受反向电压。
A. 错误
B. 正确
满分：5分
9.逆变状态下，晶闸管阻断时主要承受正向电压。
A. 错误
B. 正确
满分：5分
10.单相交流调压电路，阻感性负载，α的变化范围是 。
A. 错误
B. 正确
满分：5分
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