《电工电子技术基础》（下）重修
宜宾职业技术学院《电工电子技术基础》（下）重修考试题
机电一体化技术专业（时间100分钟）
题号 一 二 三 四 五 总分
得分
得分
评卷人
一、填空题 (每空 1 分，共 20 分)
1、二极管的主要参数有最大整流电流、最大反向工作电压、 最大反向电流和 最高工作频率 。
2、二极管在反向击穿区 有 （有或无）单向导电性。
3、半导体载流子中 空穴 带正电， 电子 带负电。
4、晶体三极管中有两个PN结，其中一个PN结叫做 发射结 ，另一个叫做 集电结 。
5、晶体三极管的电极分别是 基极、 发射 极和 集电 极。
6、自激振荡形成的基本条件是 反馈信号 与 输入信号 的大小相等、相位相同。
7、当半导体二极管的正向偏置电压 电压超过 硅管 电压时，二极管处于导通状态。
8、在半波整流中，二极管的平均值 电流与流过 负载 的电流相等。
9、逻辑函数的表示方法有 波形图 、 逻辑真值表 、真值表、函数表达式和逻辑图。
10、B•1=1 ；B+=0 。
得分
评卷人
二、选择题（每小题2分，共20分）
1、使用万用表直流电压挡 ，测的电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如图所示 ，从而可判断出该晶体管工作在 （ ）。
A、饱和状态 B、放大状态 C、截止状态 D、倒置状态
2、半波整流电路中，二极管承受的最大反向电压是（ ）。
A、 U2 B、 U2 C、2 U2 D、2 U2
3、单相桥式整流电容滤波电路中，负载电阻RL上的直流平均电压等于（ ）。
A、0.9U2 B、U2 C、1.2U2 D、0.45U2
4、VCC=18V，RB=300 kΩ，则IB等于（ ）
A、6mA B、60mA C、0.06 mA D、0.6mA
5、某晶体管的发射极电流等于2mA，集电极电流等于1.7mA，则它的基极电流等于（ ）mA。
A、2 B、1.7 C、0.3 D、3.7
6、放大电路的微变等效电路中输入电压大小是60mV，输出电压大小是1200mV，则放大倍数是（ ）
A、0.05 B、-0.05 C、20 D、-20
7、下图为哪种门电路符号：（ ）
A、与非门 B、与门
C、或门 D、异或门
8、下列属于四变量函数F=f(A，B，C，D)最小项的是：（ ）
A、ABC B、 D C、 D、CB
9、用于数字系统中进行分频、定时及数字运算的器件为（ ）。
A、计数器 B、触发器 C、加法器 D、以上都不是
10、用二进制异步计数器从0做加法，计到十进制数28，则最少需要（ ）个触发器。
A、2 B、4 C、5 D、8
得分
评卷人
三、判断题（每小题1分，共10分）
1、（ T ）通常希望放大电路的输出电阻高一些。
2、（ F）发射极正偏，集电极正偏三极管处于放大状态。
3、（）二极管正偏时电阻很小，电流很大。
4、（）单相桥式整流电路中，负载电阻RL上的直流平均电压等于0.45U2。
5、（）在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电路输出电流的2倍。因此，它们的整流管的平均电流比值为2:1。
6、（）电容滤波电路适用于大负载电流电路。
7、（）掺入三价杂质元素的半导体是N型半导体。
8、（）只要二极管工作在反向击穿区，二极管电流很大。
9、（）若两个函数具有不同的真值表，则两个逻辑函数必然不相等。
10、（）同步时序电路具有统一的时钟CP控制。
得分
评卷人
四、简答题（每小题5分，共10分）
1、PN结的单向导电性具体指的是什么？
PN结的单向导电性：PN结加正向电压时，形成较大的正向电流；而在加反向电压时，反向电流很小，这种特性称为单向导电性
2、根据下图分析：若B为高电位、A为低电位时，各二极管的工作状态，并写出电流路径。
得分
评卷人
五、作图题（共16分）
1、根据下面的输入波形A、B，分别画出与门输出Y1、与非门输出Y2。（6分）
Y1
Y2
2、由下图给出的CP、J、K波形，画出下降沿触发的JK触发器（初态为 1 ）的输出Q的波形。（5分）
3、根据CP和D的波形，画出下降沿输出信号Q的波形（设初始状态Q=0）。（5分）
得分
评卷人
六、计算题（共8分）
晶体管放大电路如下图所示：
已知VCC=24V，RC=3 kΩ，RB=300 kΩ，β=50。
（1）试估算管子的静态工作点； （2）若要求UCE=15V，IC=1.5mA，问RB及RC应该为多大？
得分
评卷人
七、综合分析题（每小题8分，共16分）
1、根据表达式 ，画出其逻辑电路图。
2、根据所列真值表写出函数表达式，然后用卡诺图进行化简。
A B C Y
0 0 0 0
0 0 1 1
0 1 0 0
0 1 1 1
1 0 0 1
1 0 1 1
1 1 0 0
1 1 1 0
页:
[1]