东北大学17秋《现代电力电子及变流技术》在线作业123答案...
17秋学期《现代电力电子及变流技术》在线作业1一、单选题:【10道,总分:50分】
1.( )是双极型全控电力电子器件。 (满分:5)
A. P-MOSFET B. TRIAC
C. GTR D. GTO
2.三相桥式全控整流电路，电阻性负载，脉冲的移相范围是( )。 (满分:5)
A. 90°
B. 120°
C. 150°
D. 180°
3.晶闸管的额定电流是以( )的形式定义的。 (满分:5)
A. 电流峰值
B. 电流有效值
C. 电流平均值
D. 电流瞬时值
4.120°导电型交-直-交电流变频器，任意时刻有( )导通。 (满分:5)
A. 一只开关管
B. 两只开关管
C. 三只开关管
D. 四只开关管
5.根据对输出电压平均值进行调制的方式不同，斩波电路可有三种控制方式。 (满分:5)
A. 电流调制。电压调制。功率调制。
B. 高阻抗调制。低阻抗调制。无源调制。
C. 脉冲宽度调制（PWM）：T不变，改变ton。脉冲频率调制：ton不变，改变T。混合调制：ton和T都可调，改变占空比。
D. 正弦波调制。三角波调制。锯齿波调制。
6.全控型电力电子器件有( )。 (满分:5)
A. Power Diode、P-MOSFET、SIT、IGBT
B. P-MOSFET、IGBT、GTR、GTO
C. SITH、MCT、Thyristor、GTO
D. IGCT、GTO、TRIAC、IPM
7.三相半波可控整流电路，晶闸管的电流平均值是( )。 (满分:5)
A.
B.
C.
D.
8.晶闸管是( )。 (满分:5)
A. 四层三端器件
B. 三层四端器件
C. 四个PN结的器件
D. 电压驱动型器件
9.三相桥式全控整流电路，大电感负载，变压器副侧绕组的电流有效值I2是( )。 (满分:5)
A.
B.
C.
D.
10.功率晶体管三个电极分别为( )。 (满分:5)
A. 发射极，基极，集电极；
B. 第一基极，发射极，第二基极；
C. 源极，栅极，漏极；
D. 阴极，门极，阳极。
二、判断题:【10道,总分:50分】
1.共阴极组变流电路，整流电压正半波大于负半波。 (满分:5)
A. 错误
B. 正确
2.单相半波可控整流电路晶闸管的最大导通角为120°。 (满分:5)
A. 错误
B. 正确
3.P-MOSFET存在二次击穿现象。 (满分:5)
A. 错误
B. 正确
4.三相交流调压电路可以接成三相三线制电路。 (满分:5)
A. 错误
B. 正确
5.IGBT是电压控制型器件。 (满分:5)
A. 错误
B. 正确
6.大电感负载变流电路， 时，电路处于逆变状态。 (满分:5)
A. 错误
B. 正确
7.双向晶闸管的四种触发方式中，Ⅲ＋触发方式的触发灵敏度最高。 (满分:5)
A. 错误
B. 正确
8.考虑变压器漏抗后，可控整流电路输出电压，比不考虑变压器漏抗时减小△Ud。 (满分:5)
A. 错误
B. 正确
9.直流斩波器必须要加变压器隔离。 (满分:5)
A. 错误
B. 正确
10.三相交-直-交电压型变频器任意时刻都有三只晶闸管同时导通。 (满分:5)
A. 错误
B. 正确
17秋学期《现代电力电子及变流技术》在线作业2
一、单选题:【10道,总分:50分】
1.单相半波可控整流电路一共有( )只晶闸管。 (满分:5)
A.1
B. 2
C. 3
D.4
2.电流可逆斩波电路是 (满分:5)
A.将整流电路与逆变电路组合在一起。
B.将降压斩波电路与升压斩波电路组合在一起。
C. 将半波电路与桥式电路组合在一起。
D. 将多重电路组合在一起。
3.晶闸管三个电极分别为( )。 (满分:5)
A. 发射极，基极，集电极；
B. 第一基极，发射极，第二基极；
C. 源极，栅极，漏极；
D. 阴极，门极，阳极。
4.120°导电型交-直-交电流变频器，任意时刻有( )导通。 (满分:5)
A. 一只开关管
B. 两只开关管
C. 三只开关管
D. 四只开关管
5.全控型电力电子器件有( )。 (满分:5)
A. Power Diode、P-MOSFET、SIT、IGBT
B. P-MOSFET、IGBT、GTR、GTO
C. SITH、MCT、Thyristor、GTO
D. IGCT、GTO、TRIAC、IPM
6.绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为( )。 (满分:5)
A. 发射极，基极，集电极；
B. 发射极，栅极，集电极；
C. 源极，栅极，漏极；
D. 阴极，门极，阳极。
7.三相半波可控整流电路，变压器副侧绕组的电流有效值I2是( )。 (满分:5)
A.
B.
C.
D.
8.三相桥式变流电路，各开关管的导通顺序是( )。 (满分:5)
A. VT1-VT3-VT5-VT4-VT6-VT2
B. VT1-VT4-VT3-VT6-VT5-VT2
C. VT1-VT2-VT3-VT4-VT5-VT6
9.单相交流调压电路可以用于 (满分:5)
A. 电阻性负载
B. 电感性负载
C. 电阻性负载和电感性负载
D. 单相负载
10.三相桥式全控整流电路，全部自然换相点是( )。 (满分:5)
A.三相电源线电压的过零点
B. 三相电源相电压正半周波形的交点
C. 三相电源相电压负半周波形的交点
D. 三相电源线电压正半周波形的交点
二、判断题:【10道,总分:50分】
1.三相半波可控整流电路，电阻性负载，α=90°是Ud波形连续和断续的分界点。 (满分:5)
A. 错误
B. 正确
2.Cuk直流斩波器，输入电流不连续，输出电流不连续。 (满分:5)
A. 错误
B. 正确
3.使器件从断态转入通态的最低电压上升率称为断态电压临界上升率du/dt。 (满分:5)
A. 错误
B. 正确
4.三相桥式半控整流电路，电阻性负载，最大移相范围是150°。 (满分:5)
A. 错误
B. 正确
5.P-MOSFET存在二次击穿现象。 (满分:5)
A. 错误
B. 正确
6.升-降压式直流斩波器，输入电流不连续，输出电流不连续。 (满分:5)
A. 错误
B. 正确
7.把直流电能变换成交流电能的过程称为整流。 (满分:5)
A. 错误
B. 正确
8.共阳极组变流电路，逆变电压正半波大于负半波。 (满分:5)
A. 错误
B. 正确
9.P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为增强型。 (满分:5)
A. 错误
B. 正确
10.首先把交流电整流为直流电，经过中间滤波环节后，再把直流电逆变成交流电的过程称为交-直-交变频。 (满分:5)
A. 错误
B. 正确
17秋学期《现代电力电子及变流技术》在线作业3
一、单选题:【10道,总分:50分】
1.单相全波可控整流电路一共有( )只晶闸管。 (满分:5)
A. 1
B. 2
C. 3
D. 4
2.单相全波可控整流电路，大电感负载，晶闸管的电流平均值是( )。 (满分:5)
A.
B.
C.
D.
3.( )是电流控制型电力电子器件。 (满分:5)
A. GTR、SITH
B. TRIAC、GTR
C. P-MOSFET、IGBT
D. GTO、MCT
4.三相桥式变流电路，各开关管的导通顺序是( )。 (满分:5)
A. VT1-VT3-VT5-VT4-VT6-VT2
B. VT1-VT4-VT3-VT6-VT5-VT2
C. VT1-VT2-VT3-VT4-VT5-VT6
5.电流可逆斩波电路是 (满分:5)
A.将整流电路与逆变电路组合在一起。
B.将降压斩波电路与升压斩波电路组合在一起。
C. 将半波电路与桥式电路组合在一起。
D. 将多重电路组合在一起。
6.三相半波可控整流电路，电阻性负载，脉冲的移相范围是( )。 (满分:5)
A. 90°
B. 120°
C. 150°
D. 180°
7.电流型交-直-交变频器中间直流环节是( )。 (满分:5)
A. 电容
B. 电容加电感
C. 电感
D. 电容加电阻
8.三相半波可控整流电路，负载两端分别接( )。 (满分:5)
A.整流变压器输出端和中性点
B.整流电路输出端和中性点
C.共阴极组整流电路输出端和共阳极组整流电路输出端
D.平波电抗器两端
9.晶闸管是( )。 (满分:5)
A. 四层三端器件
B. 三层四端器件
C. 四个PN结的器件
D. 电压驱动型器件
10.三相半波可控整流电路一共有( )只晶闸管。 (满分:5)
A. 1
B. 2
C. 3
D. 4
二、判断题:【10道,总分:50分】
1.GTR存在二次击穿现象。 (满分:5)
A. 错误
B. 正确
2.共阴极组变流电路，整流电压正半波大于负半波。 (满分:5)
A. 错误
B. 正确
3.共阳极组变流电路，整流电压负半波大于正半波。 (满分:5)
A. 错误
B. 正确
4.P-MOSFET存在二次击穿现象。 (满分:5)
A. 错误
B. 正确
5.交流调压是将一种幅值的交流电转化为不同频率的另一种幅值的交流电。 (满分:5)
A. 错误
B. 正确
6.P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。 (满分:5)
A. 错误
B. 正确
7.考虑变压器漏抗后，可控整流电路输出电压，比不考虑变压器漏抗时减小△Ud。 (满分:5)
A. 错误
B. 正确
8.三相共阳极整流电路，整流管总在三相相电压波形正半周的自然换相点换流。 (满分:5)
A. 错误
B. 正确
9.单结晶体管触发电路，改变充电电阻RP的大小就可以改变张弛振荡电路的频率。 (满分:5)
A. 错误
B. 正确
10.带续流二极管的晶闸管电路，可以组成反并联可逆电路。 (满分:5)
A. 错误
B. 正确
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